IXTY18P10T

MOSFET-транзистор, p-канальный в корпусе TO-252AA. Технология TrenchP™. Напряжение исток-сток: -100V. Ток стока (при t=25°C): -18А. Сопротивление канала - менее 0,12 Ом. Входная емкость: 2100 pF, заряд затвора: 39 nC, время обратного восстановления: 62 наносекунд, термосопротивление: 1,5Мощность рассеивания: 83 W.IXTY18P10T оптом и в розницу от производителя, актуальное наличие на складах.
Отправьте запрос из этой формы или пришлите его на нашу почту info@eltix.ru. Менеджер в кротчайшие сроки все проверит и предоставит предложение.
Если позиция под заказ — вам сообщат сроки и условия поставки.
Максимально быстрая доставка, выгодная покупка!