IXTQ76N25T

MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-3P. Технология Trench. Напряжение исток-сток: 250V. Ток стока (при t=25°C): 76А. Сопротивление канала - менее 0,039 Ом. Входная емкость: 4920 pF, заряд затвора: 92 nC, время обратного восстановления: 148 наносекунд, термосопротивление: 0,27K/W, мощность рассеивания: 460 W.IXTQ76N25T оптом и в розницу от производителя, актуальное наличие на складах. Если позиция под заказ - менеджер подскажет срок поставки после сохранения заказа. IXTQ76N25T - маскимально быстрая доставка, бонусы при заказе, выгодная покупка!