IXBP5N160G

IGBT-транзистор, 1600 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 5,7 А. Корпус: TO-220AB. Время переключения (при 25°C): 70 нс. Энергия выключения: н/д. Тепловое сопротивление: 1,85 K/W.IXBP5N160G оптом и в розницу от производителя, актуальное наличие на складах.
Отправьте запрос из этой формы или пришлите его на нашу почту info@eltix.ru. Менеджер в кротчайшие сроки все проверит и предоставит предложение.
Если позиция под заказ — вам сообщат сроки и условия поставки.
Максимально быстрая доставка, выгодная покупка!