АОТ110Б Ni

Наименование: АОТ110Б

АОТ110Б
Оптопары транзисторные АОТ110Б, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и составного кремниевого фототранзистора.
Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
Технические условия: аА0.336.260 ТУ.
Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ110Б:
• Входное напряжение: не более 2 В
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В
• Ток утечки на выходе: не более 110 мкА
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм
• Максимальный входной ток: 30 мА
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,7 В
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 50 В
• Максимальный выходной ток: 100 мА
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 360 мВтАОТ110Б Ni оптом и в розницу от производителя, актуальное наличие на складах.
Отправьте запрос из этой формы или пришлите его на нашу почту info@eltix.ru. Менеджер в кротчайшие сроки все проверит и предоставит предложение.
Если позиция под заказ — вам сообщат сроки и условия поставки.
Максимально быстрая доставка, выгодная покупка!