2т837д (89г.)

--
Наименование: 2Т837Д

2Т837Д
Транзисторы 2Т837Д кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е Рассчитаны на использование в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Технические условия: аА0.339.411 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т837Д:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 150
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом2т837д (89г.) оптом и в розницу от производителя, актуальное наличие на складах.
Отправьте запрос из этой формы или пришлите его на нашу почту info@eltix.ru. Менеджер в кротчайшие сроки все проверит и предоставит предложение.
Если позиция под заказ — вам сообщат сроки и условия поставки.
Максимально быстрая доставка, выгодная покупка!