КТ835Б Транзистор

Наименование: КТ835Б

КТ835Б
Транзисторы КТ835Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Рассчитаны на использование в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.402 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ835Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА (45В)
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 100
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 800 пФ
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,35 Ом
Производитель: КТ835Б Транзистор в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.