КП303Е Ni (93г.)

Наименование: КП303Е

КП303Е
Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Рассчитаны на использование во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП303Г в основном Рассчитаны на использование в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: Ц20.336.601 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КП303Е:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА
• Iс нач - Начальный ток стока: 5...20 мА
• S - Крутизна характеристики: не менее 4 мА/В
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 100 МГцКП303Е Ni (93г.) оптом и в розницу от производителя, актуальное наличие на складах.
Отправьте запрос из этой формы или пришлите его на нашу почту info@eltix.ru. Менеджер в кротчайшие сроки все проверит и предоставит предложение.
Если позиция под заказ — вам сообщат сроки и условия поставки.
Максимально быстрая доставка, выгодная покупка!