2п303д (2012г.)

(Au)
Наименование: 2П303Д

2П303Д
Транзисторы 2П303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Рассчитаны на использование во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г в основном Рассчитаны на использование в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.203 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2П303Д:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА
• Iс нач - Начальный ток стока: 3...9 мА
• S - Крутизна характеристики: не менее 2,6 мА/В
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 100 МГц2п303д (2012г.) оптом и в розницу от производителя, актуальное наличие на складах.
Отправьте запрос из этой формы или пришлите его на нашу почту info@eltix.ru. Менеджер в кротчайшие сроки все проверит и предоставит предложение.
Если позиция под заказ — вам сообщат сроки и условия поставки.
Максимально быстрая доставка, выгодная покупка!