кт831б (2000г.)

(Ni) Кремний
Наименование: КТ831Б

КТ831Б
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Рассчитаны на использование в усилителях мощности, преобразователях.
Корпус транзистора КТ831А, КТ831Б, КТ831В, КТ831Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзисторов не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: АДБК.432150.125 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ831Б:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Омкт831б (2000г.) в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.