КР504НТ3В Микросхема

Наименование: 504НТ3В

504НТ3В
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504НТ3В представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифферренциальных и операционных усилителях и коммутаторах.
Корпус типа 3101.8-1.
Технические условия: АЕЯР.431410.179 ТУ.
Гарантийный срок хранения 15 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
- 50000 ч – в режимах и условиях, допускаемых ТУ
- 60000 ч – в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
Производитель: КР504НТ3В Микросхема в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.