кр159нт1г (б г.)

--
Наименование: КР159НТ1Г

КР159НТ1Г
Микросхемы КР159НТ1Г представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 201.8-1, масса не более 1,8 г.
Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение коллектор-база 20 В
- Напряжение эмиттер-база 4 В
- Напряжение между транзисторами 20 В
- Ток коллектора постоянный 10 мА
- Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) 40 мА
- Рассеиваемая мощность (при Т= -60 70° С) 50 мВткр159нт1г (б г.) в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.