IXYN80N90C3H1

IGBT-транзистор, 900 V. Технология 900V XPT™ IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 115 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод. Тепловое сопротивление диода:0,42 K/W; ток диода - 42 А. Класс переключения: B4 Class, 10-30 кГц. Время переключения (при 150°C): 98 нс. Энергия выключения: 2,5 mJ. Тепловое сопротивление: 0,25 K/W.IXYN80N90C3H1 в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.