FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт

Поиск по частям фразы

Каталог

Разное

Есть в наличии

Добавить в Избранное

Товар добавлен
Перейти в корзину

22 095.61руб.

В наличии: 2 шт.

В корзину

Информация о товарах, ценах и наличии на сайте носит справочный характер и не является публичной офертой. Актуальные условия уточняйте у менеджера.

Силовые IGBTи SiC модули. Производитель: Infineon

FF200R12KE3HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 200 А, 1050Вт в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.

Артикул:	5288099
Остаток:	2 шт.

Документация Найти в яндекс

О доставке:

Стоимость:	от 300 руб.
Условия доставки

Последние просмотренные товары

0,022мкф X7R 100в 10% (0805) Чип.кер.конденсатор CCTC TCC0805X7R223K101DT Разное 0.58 р. Паяльный термофен YH208B для 852D+ бесколлекторный 878D 878 898D 898D+ Разное 1345.50 р. 179227-1, Прямоугольный контакт питания, 2mm AMP CT Connectors, Контакты с Покрытием из Олова Разное 5.76 р. 476303, Перемычка для WGO1 WGO3 WGL1, (3полюса) IZUK 6 3 Разное 144.50 р.