2Т979А

Наименование: 2Т979А

2Т979А
Транзистор 2Т979А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный.
Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в схеме с общей базой на частотах 0,7...1,4 ГГц при напряжении питания 28 В в непрерывном режиме и 35...40 В в импульсном режиме.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Внутри корпуса имеются согласующие двухзвенные LС-звенья на входе и выходе транзистора.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Тип корпуса: КТ-57.
Технические условия: аА0.339.333 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т979А :
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мА (50В)
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 1,3 ГГц2Т979А в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.