198нт1б (2009г.)

(Au) осм Восход
Наименование: 198НТ1Б

198НТ1Б
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ1Б представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Содержат 5 интегральных элементов.
Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,8 г.
Минимальная наработка микросхем:
- в режимах и условиях допускаемых ТУ - 100000 ч
- в облегченных режимах при напряжениях, токах и мощностях, не превышающих 60 от предельных значений – 120000 ч.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру (в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.198нт1б (2009г.) в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.