159нт1в (Ni)

Наименование: 159НТ1В

159НТ1В
Микросхемы 159НТ1В представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 3101.8-9.01, масса не более 1,3 г.
Предельно допустимые режимы эксплуатации 159НТ1В:
- Напряжение коллектор-база 20 В
- Напряжение эмиттер-база 4 В
- Напряжение между транзисторами 20 В
- Ток коллектора постоянный 10 мА
- Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) 40 мА
- Рассеиваемая мощность (при Т= -60 70° С) 50 мВт
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.159нт1в (Ni) в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.