FF100R12RT4HOSA1

Артикул:

11070779

Минимальная партия:

1 шт.

Остаток:

43 шт

Бренд:

CHINA

Документация

Найти в яндекс

О доставке:

Стоимость: от 300 руб.

Условия доставки

В наличии

Добавить в избранное

От 3.90 руб. До 12 508.44 руб.

В наличии: 43 шт

Складов: 4

Информация о товарах, ценах и наличии на сайте носит справочный характер и не является публичной офертой. Актуальные условия уточняйте у менеджера.

Модуль: с быстродействующими IGBT и встроенными обратными диодами; 34 мм; Urmax 1,2 кВ; Ic 100 А; Icrm 200 A; винтами
FF100R12RT4HOSA1 AG-34MM
FF100R12RT4HOSA1 Infineon FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт
FF100R12RT4HOSA1 Infineon FF100R12RT4HOSA1, Модуль IGBT 1200V 100A 555Вт

FF100R12RT4HOSA1 в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.

Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:

Отправить запрос на email

Оперативно проверим наличие и подготовим выгодгое предложение.

Название	Остаток	Цена руб.
FF100R12RT4HOSA1 Артикул: 11070779	13 шт.	6 201.00 руб.
FF100R12RT4HOSA1 Артикул: 11587252	20 шт.	3.90 руб.
FF100R12RT4HOSA1 Артикул: 11667137	Под заказ	8 758.76 руб.
FF100R12RT4HOSA1 Артикул: 11667138	10 шт.	12 508.44 руб.

Быстрый заказ 'FF100R12RT4HOSA1' или по вашему списку потребнослей. Укажите все необходимое.

Текст запроса в магазин Eltix:

Последние просмотренные товары