кт830б (99г.)

(Ni) Кремний
Наименование: КТ830Б

КТ830Б
Транзисторы КТ830Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Рассчитаны на использование в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Корпус КТ830А, КТ830Б, КТ830В, КТ830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: АДБК.432150.125 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ830Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (60В)
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Омкт830б (99г.) в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.