IRFD110 (99г.)

(Harris - 1A 100V 0.6Ohm, N-Ch. Power MOSFET, HEXDIP8)
Наименование: IRFD110

IRFD110
Транзистор IRFD110 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 1,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,54 .
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: HD-1 (DIP-4).
Диапазон рабочей температуры: от -55 до 175 °C.IRFD110 (99г.) в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.