IRF730 (2000г.)

(IR-N-Channe Power MOSFET, Vdss=400V, Rds(on)=1ohm, Id=5.5А, TO-220AB)
Наименование: IRF730

IRF730
Транзистор IRF730 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 400 В.
Максимальный ток стока: 5,5 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,0 .
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочей температуры: от -55 до 150 °C.IRF730 (2000г.) в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.