2Д503Б ОС

Наименование: 2Д503Б

2Д503Б
Диоды 2Д503Б кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Рассчитаны на использование в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.
Технические условия: ТТЗ.362.045 ТУ, ПО.070.052 ТУ.
Основные технические характеристики диода 2Д503Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА
• fд - Рабочая частота диода: 350 мГц
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс
• Сд - Общая емкость: 2,5 пФ2Д503Б ОС в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.