1Т313В (76г)

Наименование: 1Т313В

1Т313В
Транзисторы 1Т313В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Рассчитаны на использование в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ЖК3.365.161 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т313В:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 350 МГц
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...230 при 5В 5мА
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 75 пс1Т313В (76г) в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.