1Т308В 5(91г)

Наименование: 1Т308В

1Т308В
Транзисторы 1Т308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Рассчитаны на использование в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Технические условия: ЖК3.365.120 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т308В:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 120 МГц
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...150 (1В 10мА)
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В)
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ (1,6 МГц)
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс1Т308В 5(91г) в наличии и под заказ.
Предлагаем поставку со складов в России и из-за рубежа. Актуальную цену, доступное количество и срок отгрузки менеджер подтвердит после получения запроса.
Оставьте заявку через форму или отправьте запрос на почту:
Отправить запрос на email
Оперативно проверим наличие и подготовим выгодное предложение.